[νμ΄λΈμ
λ΄μ€] DBνμ΄ν
μ΄Β μ§λν΄ 8μΈμΉ(200γ) νμ΄λ리(λ°λ체 μνμμ°) μ
κ³κ° κ·Ήμ¬ν λΆν©μ κ²ͺμΌλ©΄μ λΆμ§ν μ€μ μ κΈ°λ‘νλ€.
DBνμ΄ν
μ μ§λν΄ μ°κ²°κΈ°μ€ λ§€μΆ 1μ‘°1522μ΅μ, μμ
μ΄μ΅ 2639μ΅μμ κΈ°λ‘νλ€κ³ 13μΌ κ³΅μνλ€. 맀μΆκ³Ό μμ
μ΄μ΅ κ°κ° μ λ
λλΉ 31%, 65.4% μ€μ΄λ μμΉλ€.
μ§λ 5μΌ μ μ μ§κ³λλ 맀μΆ(1μ‘°1578μ΅μ), μμ
μ΄μ΅(2663μ΅μ)λ³΄λ€ κ°κ° μ½ 51μ΅μ, 24μ΅μ κ°μνλ€. μμ
μ΄μ΅λ₯ μ μ½ 23%λ₯Ό κΈ°λ‘νλ€.
μ§λν΄ 4Β·4λΆκΈ° 맀μΆμ 2773μ΅μ, μμ
μ΄μ΅μ 407μ΅μμ λ¬μ±νλ€. μ λΆκΈ°(3Β·4λΆκΈ°)λ³΄λ€ λ§€μΆμ 3.58% λμκ³ μμ
μ΄μ΅μ 19% μ€μλ€.
DBνμ΄ν
μ "μ°¨λμ© λΉμ€μ λμ΄κ³ μ°¨μΈλ μ λ ₯λ°λμ²΄λ‘ μ£Όλͺ©λ°λ μ§νκ°λ₯¨(GaN)Β·μ€λ¦¬μ½ μΉ΄λ°μ΄λ(SiC) λ± κ³ λΆκ°Β·κ³ μ±μ₯ μ νμ νλνλ©° κ²½μλ ₯μ κ°νν κ³ν"μ΄λΌκ³ μ€λͺ
νλ€.